Samsung Electronics आता टेक्सासमधील आपल्या दुसऱ्या सेमीकंडक्टर प्लांटच्या तयारीला लागली आहे. या प्लांटमध्ये AMD आणि Nvidia साठी प्रगत मेमरी चिप्स तयार केल्या जाणार असून, **2-nanometer** तंत्रज्ञानाचा वापर करून **2030** पर्यंत उत्पादनाचे लक्ष्य ठेवण्यात आले आहे.
एआय (AI) मार्केटवर Samsung चा डोळा
सॅमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स टेक्सासमधील टेलर (Taylor) येथे आपल्या दुसऱ्या सेमीकंडक्टर फाउंड्रीला एआय हार्डवेअरच्या उत्पादनाचे मुख्य केंद्र बनवण्याच्या तयारीत आहे. रिपोर्ट्सनुसार, हा प्लांट हाय-बँडविड्थ मेमरी (HBM) चिप्सच्या बेस डाय (base dies) तयार करण्यावर लक्ष केंद्रित करेल. विशेष म्हणजे, या प्लांटची क्षमता आधीच पूर्णपणे बुक झाली असून, AMD मुख्य क्लायंट असण्याची शक्यता आहे.
प्रकल्पाची व्याप्ती आणि तांत्रिक बाजू
हा नवीन प्लांट सुमारे 2.7 दशलक्ष स्क्वेअर फूट क्षेत्रात पसरलेला असून, तो सॅमसंगच्या पहिल्या प्लांटपेक्षा कितीतरी मोठा आहे. यात 2-nanometer प्रोसेस तंत्रज्ञानाचा वापर केला जाणार आहे, जे पुढच्या पिढीतील एआय चिप्स बनवण्यासाठी अत्यंत महत्त्वाचे आहे. सॅमसंगने अद्याप अधिकृतपणे या करारांची पुष्टी केलेली नाही.
गुंतवणूकदारांसाठी धोके आणि आव्हाने
हा प्रकल्प जरी मोठा असला, तरी त्याचे वेळापत्रक लांबणीवर पडलेले दिसते. नोव्हेंबर 2026 मध्ये बांधकामाला सुरुवात होऊन 2030 पर्यंत मास प्रोडक्शन सुरू करण्याचे उद्दिष्ट आहे. फेब्रुवारी 2029 मध्ये उपकरणांची स्थापना केली जाईल, म्हणजे महसूल सुरू होण्यापूर्वी मोठा कालावधी जाणार आहे.
सॅमसंगने आपली कॅपिटल स्पेंडिंग (Capital Spending) 60% पेक्षा जास्त वाढवली आहे. सेमीकंडक्टर क्षेत्रातील वाढती स्पर्धा पाहता, ही मोठी गुंतवणूक कंपनीच्या नफ्यावर (Profit Margins) ताण निर्माण करू शकते, विशेषतः जर एआय चिप्सची मागणी अपेक्षेप्रमाणे न राहिली तर याचा फटका बसण्याची शक्यता नाकारता येत नाही.